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PBRP113ET,215
0.06
PBRP113ET,215 数据手册 (13 页)
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PBRP113ET,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
570 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
最小电流放大倍数
130 @300mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
570 mW

PBRP113ET,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

PBRP113ET,215 数据手册

Nexperia(安世)
13 页 / 0.22 MByte

PBRP113 数据手册

Nexperia(安世)
PNP - 预偏压 600mA 40V
Nexperia(安世)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -40 V, -800 mA, 1 kohm, 1 kohm
NXP(恩智浦)
NXP  PBRP113ZT  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 mW, -600 mA, 320 hFE
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PBRP113ET  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 mW, -600 mA, 210 hFE
Nexperia(安世)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -40 V, -800 mA, 1 kohm, 10 kohm
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
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