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PBSS302PX,115
0.359
PBSS302PX,115 数据手册 (15 页)
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PBSS302PX,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
130 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-89-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
600 mW
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
最小电流放大倍数
200 @2A, 2V
额定功率(Max)
2.1 W
直流电流增益(hFE)
370
工作温度(Max)
150 ℃

PBSS302PX,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS302PX,115 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.18 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.2 MByte

PBSS302 数据手册

NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 600 mW, 5.3 A, 570 hFE
Nexperia(安世)
NXP PBSS302PX,115 , PNP 晶体管, 5.1 A, Vce=20 V, HFE:100, 130 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 130 MHz, 700 mW, -5.5 A, 370 hFE
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS302PX,115  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 130 MHz, 600 mW, -5.1 A, 370 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5.8A
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS302NX,115  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 600 mW, 5.3 A, 570 hFE
NXP(恩智浦)
40 V PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor
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