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PBSS303NX,115
0.222
PBSS303NX,115 数据手册 (15 页)
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PBSS303NX,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
130 MHz
封装
SOT-89-3
极性
NPN
功耗
2.1 W
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
5.1A
最小电流放大倍数
250 @2A, 2V
最大电流放大倍数
300 @0.5A, 2V
额定功率(Max)
2.1 W
耗散功率(Max)
2100 mW

PBSS303NX,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS303NX,115 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.18 MByte

PBSS303 数据手册

Nexperia(安世)
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 130 MHz, 700 mW, -5.3 A, 400 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS303ND,115  晶体管, BISS, NPN, 60V, 3A, 6-SOT-457
Nexperia(安世)
三极管(晶体管) PBSS303ND,115 SC-74(SOT-457)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 130 MHz, 2 W, 5.5 A, 250 hFE
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS303PZ,135  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 130 MHz, 700 mW, -5.3 A, 400 hFE
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