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PBSS305PZ,135
0.18
PBSS305PZ,135 数据手册 (14 页)
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PBSS305PZ,135 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
极性
PNP
功耗
700 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
4.5A
最小电流放大倍数
120 @2A, 2V
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
280
工作温度(Max)
150 ℃

PBSS305PZ,135 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS305PZ,135 数据手册

NXP(恩智浦)
14 页 / 0.18 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.2 MByte
NXP(恩智浦)
1 页 / 0.13 MByte

PBSS305 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PBSS305NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=80 V, HFE:50, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS305PZ,135  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 700 mW, -4.5 A, 280 hFE
Nexperia(安世)
NXP PBSS305PX,115 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:45, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS305PZ,135 , PNP 晶体管, 4.5 A, Vce=80 V, HFE:30, 100 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS305NX,115 , NPN 晶体管, 4.6 A, Vce=80 V, HFE:70, 110 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS305NX,115  晶体管, BISS型, NPN, 80V, 4.6A, 3-SOT-89
Nexperia(安世)
NXP PBSS305ND,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:25, 140 MHz, 6引脚 TSOP封装
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS305PX,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 600 mW, -4 A, 45 hFE
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