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PBSS4230T
0.075
PBSS4230T 数据手册 (7 页)
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PBSS4230T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
150
直流电流增益(hFE)
470
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
480 mW

PBSS4230T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

PBSS4230T 数据手册

NXP(恩智浦)
7 页 / 0.24 MByte
NXP(恩智浦)
8 页 / 0.45 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.2 MByte

PBSS4230 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4230T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:150, 230 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, PNP, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, 双NPN, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 190 MHz, 325 mW, 2 A, 100 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4230T  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4230PANP  单晶体管 双极, NPN, PNP, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
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