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PBSS4320T
0.07
PBSS4320T 数据手册 (10 页)
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PBSS4320T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
150
直流电流增益(hFE)
220
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1200 mW

PBSS4320T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm

PBSS4320T 数据手册

NXP(恩智浦)
10 页 / 0.33 MByte
NXP(恩智浦)
11 页 / 0.56 MByte

PBSS4320 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4320T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4320X,135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4320T  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 2 A, 220 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4320T,215  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 2 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
PBSS4320X 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4320X  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 220 hFE
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Philips(飞利浦)
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