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PCP1203-P-TD-H
1.305
PCP1203-P-TD-H 数据手册 (6 页)
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PCP1203-P-TD-H 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
500 MHz
封装
SOT-89
极性
NPN
功耗
1.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
1.5A
最小电流放大倍数
200 @100mA, 2V
额定功率(Max)
1.3 W

PCP1203-P-TD-H 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

PCP1203-P-TD-H 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.26 MByte

PCP1203 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 30V
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