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PD54003L-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

5X5-8

描述:

N沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PD54003L-E 数据手册 (11 页)

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PD54003L-E 数据手册 (11 页)

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PD54003L-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

500 MHz

引脚数

14 Pin

额定电压(DC)

7.00 V

额定电流

4 A

封装

5X5-8

功耗

19500 mW

输出功率

3 W

增益

20 dB

测试电流

50 mA

输入电容值(Ciss)

54pF @7.5V(Vds)

输出功率(Max)

3 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

19500 mW

额定电压

25 V

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PD54003L-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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PD54003L-E 符合标准

PD54003L-E 海关信息

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ST Microelectronics（意法半导体）

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