器件3D模型

￥ 0

PD54003S 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT

描述:

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PD54003S 数据手册 (24 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在18 页 19 页 20 页 21 页 22 页

PD54003S 数据手册 (24 页)

查看文档

或点击图片查看大图

PD54003S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT

极性

N-Channel

功耗

52.8 W

漏源击穿电压

25.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

查看数据手册 >

PD54003S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

查看数据手册 >

PD54003S 符合标准

PD54003S 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 0.62 MByte

PD54003 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

PD54003-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD54003L-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道增强模式横向场效应射频功率晶体管

PD54003S-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD54003L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST PLASTIC FAMILY

PD54003S 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

PD54003-01 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号