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器件3D模型
¥ 20.062
PD55015-E 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
PowerSO-10RF
描述:
STMICROELECTRONICS PD55015-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
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PD55015-E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
500 MHz
引脚数
3 Pin
额定电流
5 A
封装
PowerSO-10RF
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
73 W
输入电容
89 pF
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
输出功率
15 W
增益
14 dB
测试电流
150 mA
输入电容值(Ciss)
89pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max)
165 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
73000 mW
额定电压
40 V
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PD55015-E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.6 mm
宽度
9.5 mm
高度
3.6 mm
工作温度
-65℃ ~ 165℃
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PD55015-E 符合标准
PD55015-E 海关信息
PD55015-E 概述
●
射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
●
射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
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PD55015-E 数据手册
PD55015-E
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS PD55015-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
PD55015
TR-E
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ST Microelectronics(意法半导体)
PD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道 增强模式 射频 功率晶体管
PD55015
S-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD55015
STR-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
PD55015
S
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RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
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