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PD57030S
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PD57030S 数据手册 (8 页)
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PD57030S 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
945 MHz
封装
PowerSO-10
极性
N-Channel
功耗
52.8 W
漏源击穿电压
65.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
输出功率
30 W
增益
14 dB
测试电流
50 mA
额定电压
65 V

PD57030S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

PD57030S 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.24 MByte

PD57030 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
30W 945MHZ 28 PowerSO-10 射频(鸥翼)
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
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