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PD57030S-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

PowerSO-10RF

描述:

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

Pictures:

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符号图

焊盘图

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PD57030S-E 数据手册 (18 页)

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PD57030S-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

945 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

65.0 V

额定电流

4.00 A

封装

PowerSO-10RF

功耗

52800 mW

漏源极电压(Vds)

65 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

输出功率

30 W

增益

14 dB

测试电流

50 mA

输入电容值(Ciss)

57pF @28V(Vds)

工作温度(Max)

165 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

52800 mW

额定电压

65 V

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PD57030S-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-65℃ ~ 165℃

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PD57030S-E 符合标准

PD57030S-E 海关信息

PD57030S-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.49 MByte

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