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PD57060S-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

PowerSO-10RF

描述:

60W,28V,0.945GHz,射频LDMOS晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PD57060S-E 数据手册 (21 页)

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PD57060S-E 数据手册 (21 页)

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PD57060S-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

945 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

65.0 V

额定电流

7 A

封装

PowerSO-10RF

针脚数

3 Position

功耗

79 W

漏源极电压(Vds)

65 V

漏源击穿电压

65 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

输出功率

60 W

增益

14.3 dB

测试电流

100 mA

输入电容值(Ciss)

83pF @28V(Vds)

工作温度(Max)

165 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

79000 mW

额定电压

65 V

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PD57060S-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

7.5 mm

宽度

9.4 mm

高度

3.5 mm

工作温度

-65℃ ~ 165℃

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PD57060S-E 符合标准

PD57060S-E 海关信息

PD57060S-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.49 MByte

PD57060S-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

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