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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > NXP(恩智浦) > PDTA115EE,115 Datasheet 文档
PDTA115EE,115
器件3D模型
0.03
PDTA115EE,115 数据手册 (14 页)
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PDTA115EE,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-75-3
极性
PNP
功耗
0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
20mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW

PDTA115EE,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.8 mm

PDTA115EE,115 数据手册

NXP(恩智浦)
14 页 / 0.17 MByte
NXP(恩智浦)
39 页 / 0.75 MByte
NXP(恩智浦)
18 页 / 0.94 MByte
NXP(恩智浦)
1 页 / 0.13 MByte

PDTA115 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PDTA115ET,215 PNP 数字晶体管, 0.02 A, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA115EU,115 PNP 数字晶体管, 0.02 A, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 UMT封装
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PDTA115ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -20 mA, 80 hFE
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PDTA115ET  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA115TT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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