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PDTA123ET
0.027
PDTA123ET 数据手册 (14 页)
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PDTA123ET 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
30
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

PDTA123ET 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

PDTA123ET 数据手册

NXP(恩智浦)
14 页 / 0.17 MByte
NXP(恩智浦)
15 页 / 0.4 MByte
NXP(恩智浦)
18 页 / 0.94 MByte

PDTA123 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PDTA123JT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA123ET,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA123JU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  PDTA123ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
Nexperia(安世)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
NXP(恩智浦)
PDTA123JE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 100 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记27 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PDTA123JE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
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