Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > PDTB113ET,215 Datasheet 文档
PDTB113ET,215
0.025
PDTB113ET,215 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

PDTB113ET,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
33 @50mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

PDTB113ET,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm

PDTB113ET,215 数据手册

Nexperia(安世)
12 页 / 0.22 MByte
Nexperia(安世)
11 页 / 0.22 MByte

PDTB113 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PDTB113ZT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PDTB113ZT  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTB113ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
NXP(恩智浦)
NXP  PDTB113ZT,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z