PEMH9,115

￥ 0.043

PEMH9,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-666-6

描述:

NXP PEMH9,115. 晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PEMH9,115 数据手册 (17 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在10 页

PEMH9,115 数据手册 (17 页)

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PEMH9,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-666-6

通道数

2 Channel

极性

NPN

功耗

0.3 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

100 @5mA, 5V

额定功率(Max)

300 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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PEMH9,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

1.3 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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PEMH9,115 符合标准

PEMH9,115 数据手册

PEMH9,115 数据手册

NXP（恩智浦）

17 页 / 0.63 MByte

PEMH9,115 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

206 页 / 0.21 MByte

PEMH9,115 产品修订记录

NXP（恩智浦）

72 页 / 3.63 MByte

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