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Datasheet 搜索 > TVS二极管 > NXP(恩智浦) > PESD5V0S4UD,115 Datasheet 文档
PESD5V0S4UD,115
0.077
PESD5V0S4UD,115 数据手册 (3 页)
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PESD5V0S4UD,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
电容
220 pF
封装
TSOP-457
额定功率
200 W
击穿电压
6.8 V
电路数
4 Circuit
功耗
200 W
钳位电压
13 V
测试电流
1 mA
脉冲峰值功率
200 W
最小反向击穿电压
6.4 V
击穿电压
6.4 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

PESD5V0S4UD,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TA)

PESD5V0S4UD,115 数据手册

NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
13 页 / 0.2 MByte

PESD5V0S4 数据手册

Nexperia(安世)
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, Nexperia### 瞬态电压抑制器,Nexperia
NXP(恩智浦)
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP### 瞬态电压抑制器,NXP
NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0S4UD  静电保护装置, TVS, 13 V, SSOT-6, 6 引脚
Nexperia(安世)
静电保护装置, 12 V, XSON, 6 引脚
NXP(恩智浦)
Pesd3v3s4uf; Pesd5v0s4uf - 单向四倍Esd保护二极管阵列
NXP(恩智浦)
PESDxxxS4 系列、低电容单向四路 ESD 保护二极管单向四路静电放电 (ESD) 保护二极管阵列,采用小型 SOT886 表面安装设备 (SMD) 塑料封装,设计用于保护多达四条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器,NXP
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 13 V, SSOT-6, 6 引脚
Nexperia(安世)
PESDxxxS4 系列,低电容单向四路 ESD 保护二极管,Nexperia单向四路静电放电 (ESD) 保护二极管阵列,采用小型 SOT886 表面安装设备 (SMD) 塑料封装,设计用于保护多达四条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
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