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PHB27NQ10T 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

D2PAK

描述:

N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PHB27NQ10T 数据手册 (12 页)

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PHB27NQ10T 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

D2PAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

28A

PHB27NQ10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

PHB27NQ10T 符合标准

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PHB27NQ10T 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

12 页 / 0.27 MByte

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