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PHB27NQ10T,118 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=28A P=107W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PHB27NQ10T,118 数据手册 (13 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在8 页

PHB27NQ10T,118 数据手册 (13 页)

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PHB27NQ10T,118 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

50 mΩ

功耗

107 W

输入电容

1240 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

上升时间

43 ns

输入电容值(Ciss)

1240pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

107 W

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

107W (Tc)

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PHB27NQ10T,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.3 mm

宽度

9.4 mm

高度

4.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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PHB27NQ10T,118 符合标准

PHB27NQ10T,118 数据手册

Nexperia（安世）

13 页 / 0.7 MByte

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