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PHD108NQ03LT 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

DPAK

描述:

N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PHD108NQ03LT 数据手册

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PHD108NQ03LT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

DPAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

75A

PHD108NQ03LT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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