￥ 21.7

PHD108NQ03LT,118 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

NXP PHD108NQ03LT,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PHD108NQ03LT,118 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页 11 页

PHD108NQ03LT,118 数据手册 (12 页)

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PHD108NQ03LT,118 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0053 Ω

极性

N-Channel

功耗

187 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

上升时间

38 ns

输入电容值(Ciss)

1375pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

187 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

187W (Tc)

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PHD108NQ03LT,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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PHD108NQ03LT,118 符合标准

PHD108NQ03LT,118 数据手册

NXP（恩智浦）

12 页 / 0.51 MByte

PHD108NQ03LT,118 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.09 MByte

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