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PHD38N02LT 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PHD38N02LT 数据手册 (12 页)

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PHD38N02LT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

44.7A

输入电容值(Ciss)

800pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

57.6 W

PHD38N02LT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PHD38N02LT 符合标准

PHD38N02LT 数据手册

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