￥ 0.684

PHE13009,127 数据手册 - We En Semiconductor

制造商:

We En Semiconductor

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

PHE13009 系列 400 V 12 A 80 W NPN 硅漫射式功率晶体管 - TO-220AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PHE13009,127 数据手册 (8 页)

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PHE13009,127 数据手册 (8 页)

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PHE13009,127 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

NPN

功耗

80 W

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

集电极最大允许电流

12A

最小电流放大倍数

8 @5A, 5V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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PHE13009,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.3 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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PHE13009,127 符合标准

PHE13009,127 数据手册

We En Semiconductor

8 页 / 0.12 MByte

PHE13009,127 其他数据使用手册

We En Semiconductor

22 页 / 0.32 MByte

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