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PHP191NQ06LT 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PHP191NQ06LT 数据手册 (13 页)

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PHP191NQ06LT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

55.0 V

额定电流

75.0 A

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

75A

上升时间

232 ns

输入电容值(Ciss)

7665pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

178 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

PHP191NQ06LT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.3 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PHP191NQ06LT 符合标准

PHP191NQ06LT 数据手册

PHP191NQ06LT 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

13 页 / 0.2 MByte

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N沟道 VDS=55V VGS=±15V ID=75A P=300W

PHP191NQ06LT,127 数据手册

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