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PHP54N06T 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PHP54N06T 数据手册 (12 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在9 页

PHP54N06T 数据手册 (12 页)

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PHP54N06T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

55.0 V

额定电流

54.0 A

封装

TO-220-3

功耗

118 W

输入电容

1.59 nF

栅电荷

36.0 nC

漏源极电压(Vds)

55.0 V

连续漏极电流(Ids)

54.0 A

上升时间

74 ns

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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PHP54N06T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.3 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

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PHP54N06T 符合标准

PHP54N06T 数据手册

NXP（恩智浦）

12 页 / 0.2 MByte

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