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PHT4NQ10T,135 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

NXP PHT4NQ10T,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PHT4NQ10T,135 数据手册 (12 页)

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PHT4NQ10T,135 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

6.9 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

6.9 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

6.9W (Tc)

PHT4NQ10T,135 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

3.7 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

PHT4NQ10T,135 符合标准

PHT4NQ10T,135 数据手册

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