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PHT6N06T,135
0.709
PHT6N06T,135 数据手册 (6 页)
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PHT6N06T,135 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-3
功耗
8.3 W
上升时间
14.5 ns
输入电容值(Ciss)
175pF @25V(Vds)
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
8300 mW

PHT6N06T,135 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm

PHT6N06T,135 数据手册

Nexperia(安世)
6 页 / 0.27 MByte

PHT6N06 数据手册

Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
的TrenchMOS晶体管标准水平FET TrenchMOS transistor Standard level FET
NXP(恩智浦)
NXP  PHT6N06T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PHT6N06LT  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 5 V, 1.5 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 0.15 ohm, 5 V, 1.5 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
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