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PHT6NQ10T,135
0.465
PHT6NQ10T,135 数据手册 (7 页)
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PHT6NQ10T,135 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.09 Ω
功耗
1.8 W
阈值电压
3 V
输入电容
633 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
633pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
8.3 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

PHT6NQ10T,135 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

PHT6NQ10T,135 数据手册

Nexperia(安世)
7 页 / 0.07 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PHT6NQ10 数据手册

Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,100V 及更高,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP  PHT6NQ10T  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 3 V
NXP(恩智浦)
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
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