PIMH9 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 0.21 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 600mW/0.6W Description & Applications| Features • NPN resistor-equipped double transistor • Transistors with built-in bias resistors (R1 typ. 10 kΩ andR2 typ. 47 kΩ) • No mutual interference between the transistors • Simplification of circuit design • Reduces number of components and board space APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Inverter and interface circuits • Circuit driver. 描述与应用| 特点 •NPN电阻配备双晶体管 •晶体管内置偏置电阻（R1典型值10KΩ/Ohm的1和R 2（典型值）47KΩ/Ohm的。） •晶体管之间没有相互干扰 •简化电路设计 •减少元件数量和电路板空间 应用 •通用开关和放大 •逆变器和接口电路 •电路驱动。