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PMDT670UPE,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-666-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PMDT670UPE,115 数据手册 (17 页)

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PMDT670UPE,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-666-6

通道数

2 Channel

极性

P-CH

阈值电压

0.8 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.55A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

87pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

330 mW

下降时间

72 ns

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PMDT670UPE,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PMDT670UPE,115 符合标准

PMDT670UPE,115 数据手册

NXP（恩智浦）

17 页 / 0.7 MByte

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