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PMDT670UPE,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

晶体管

封装:

SOT-666

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -550 mA, -20 V, 0.67 ohm, -4.5 V, -800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PMDT670UPE,115 数据手册 (17 页)

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PMDT670UPE,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-666

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.67 Ω

功耗

500 mW

阈值电压

800 mV

输入电容

58 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

87pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

330 mW

下降时间

72 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

390 mW

PMDT670UPE,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMDT670UPE,115 符合标准

PMDT670UPE,115 概述

PMDT670UPE,115 数据手册

PMDT670UPE,115 其他数据使用手册

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PMDT670 数据手册

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