￥ 0.186

PMDXB600UNEZ 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

XFDFN-6

描述:

PMDXB600UNE 系列 20 V 620 mOhm 双通道 N 沟道 Trench Mosfet - DFN1010B-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PMDXB600UNEZ 数据手册 (16 页)

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封装尺寸在11 页

PMDXB600UNEZ 数据手册 (16 页)

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PMDXB600UNEZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

XFDFN-6

极性

Dual N-Channel

功耗

380 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

9.2 ns

输入电容值(Ciss)

21.3pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

265 mW

下降时间

51 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

380 mW

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PMDXB600UNEZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.36 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PMDXB600UNEZ 符合标准

PMDXB600UNEZ 数据手册

NXP（恩智浦）

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