￥ 0.125

PMGD280UN,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-6

描述:

NXP PMGD280UN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PMGD280UN,115 数据手册 (14 页)

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PMGD280UN,115 数据手册 (14 页)

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PMGD280UN,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-323-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.28 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

400 mW

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

870 mA

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

45pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

400 mW

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.4 W

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PMGD280UN,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PMGD280UN,115 符合标准

PMGD280UN,115 数据手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.2 MByte

PMGD280UN,115 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

206 页 / 0.21 MByte

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