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PMN28UN,165
0.243
PMN28UN,165 数据手册 (12 页)
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PMN28UN,165 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOP-457
极性
N-CH
功耗
1.75 W
漏源极电压(Vds)
12 V
连续漏极电流(Ids)
5.7A
输入电容值(Ciss)
740pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.75 W
耗散功率(Max)
1.75W (Tc)

PMN28UN,165 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMN28UN,165 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.23 MByte

PMN28 数据手册

Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
的TrenchMOS ™超低水平FET TrenchMOS⑩ ultra low level FET
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