￥ 0.09

PMV117EN,215 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

NXP PMV117EN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PMV117EN,215 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

PMV117EN,215 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

PMV117EN,215 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.074 Ω

极性

N-Channel

功耗

830 mW

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

输入电容值(Ciss)

147pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

830 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

830mW (Tc)

查看数据手册 >

PMV117EN,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

PMV117EN,215 符合标准

PMV117EN,215 数据手册

NXP（恩智浦）

10 页 / 0.26 MByte

PMV117EN,215 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

12 页 / 0.07 MByte

PMV117 数据手册

PMV117EN,215 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP PMV117EN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V

PMV117EN 数据手册

NXP（恩智浦）

PMV117EN N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM1 低RDS/高饱和电流能力

PMV117EN,215 数据手册

Nexperia（安世）

晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V

PMV117EN215 数据手册

NXP（恩智浦）

PMV117EN 数据手册

Nexperia（安世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号