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PMV117EN215
0.15
PMV117EN215 数据手册 (12 页)
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PMV117EN215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
极性
N-Channel
功耗
830 mW
漏源极电压(Vds)
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A

PMV117EN215 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.07 MByte

PMV117 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  PMV117EN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V
NXP(恩智浦)
PMV117EN N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM1 低RDS/高饱和电流能力
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
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