￥ 1

PMV40UN2R 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

PMV40UN2 系列 30 V 44 mOhm 3.7 A 通孔 N-沟道 Trench MOSFET-TO-236AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PMV40UN2R 数据手册 (17 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在11 页 12 页

PMV40UN2R 数据手册 (17 页)

查看文档

或点击图片查看大图

PMV40UN2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

490mW (Ta)

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

4.4A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

635pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

490 mW

下降时间

12 ns

耗散功率(Max)

490mW (Ta)

查看数据手册 >

PMV40UN2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

PMV40UN2R 符合标准

PMV40UN2R 数据手册

NXP（恩智浦）

17 页 / 0.37 MByte

PMV40UN2R 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

206 页 / 0.21 MByte

PMV40UN2 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP PMV40UN2 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV

PMV40UN2 数据手册

Nexperia（安世）

PMV40UN2R 数据手册

Nexperia（安世）

PMV40UN2R 编带

PMV40UN2R 数据手册

NXP（恩智浦）

PMV40UN2 系列 30 V 44 mOhm 3.7 A 通孔 N-沟道 Trench MOSFET-TO-236AB

PMV40UN,215 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP PMV40UN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号