￥ 0.229

PMXB65ENE 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

DFN1010D-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PMXB65ENE 数据手册 (16 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在11 页

PMXB65ENE 数据手册 (16 页)

查看文档

或点击图片查看大图

PMXB65ENE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

DFN1010D-3

功耗

400mW (Ta), 8.33W (Tc)

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

295pF @15V(Vds)

耗散功率(Max)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)

查看数据手册 >

PMXB65ENE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

PMXB65ENE 符合标准

PMXB65ENE 数据手册

Nexperia（安世）

16 页 / 0.44 MByte

PMXB65 数据手册

PMXB65UPEZ 数据手册

Nexperia（安世）

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.2 A, -12 V, 0.059 ohm, -4.5 V, -680 mV

PMXB65ENEZ 数据手册

Nexperia（安世）

晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.4 V

PMXB65ENE 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP PMXB65ENE 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.4 V

PMXB65ENEZ 数据手册

NXP（恩智浦）

PMXB65UPEZ 数据手册

NXP（恩智浦）

PMXB65UPE 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP PMXB65UPE 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.2 A, -12 V, 0.059 ohm, -4.5 V, -680 mV

PMXB65ENE 数据手册

Nexperia（安世）

PMXB65UPEX 数据手册

NXP（恩智浦）

PMXB65ENEX 数据手册

NXP（恩智浦）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号