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PMXB65ENEZ
0.129
PMXB65ENEZ 数据手册 (16 页)
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PMXB65ENEZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
XDFN-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.044 Ω
功耗
400 mW
阈值电压
1.4 V
输入电容
295 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
295pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
400 mW
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)

PMXB65ENEZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMXB65ENEZ 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 0.44 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

PMXB65 数据手册

Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.2 A, -12 V, 0.059 ohm, -4.5 V, -680 mV
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.4 V
NXP(恩智浦)
NXP  PMXB65ENE  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1.4 V
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PMXB65UPE  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.2 A, -12 V, 0.059 ohm, -4.5 V, -680 mV
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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