输入电容值(Ciss)
83pF @10V(Vds)
耗散功率(Max)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia（安世）
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE,315, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
Nexperia（安世）
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=1A P=950mV
NXP（恩智浦）
NXP PMZB290UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMZB290UNE2 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMZB290UN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia（安世）
N 通道 MOSFET，高达 30V，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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