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PMZB290UNE2
0.051
PMZB290UNE2 数据手册 (16 页)
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PMZB290UNE2 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-883
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.27 Ω
极性
N-Channel
功耗
350 mW
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
工作温度(Max)
150 ℃

PMZB290UNE2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PMZB290UNE2 数据手册

NXP(恩智浦)
16 页 / 0.21 MByte

PMZB290 数据手册

Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE,315, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=1A P=950mV
NXP(恩智浦)
NXP  PMZB290UNE  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PMZB290UNE2  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
NXP  PMZB290UN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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