器件3D模型

￥ 0.031

PMZB290UNE,315 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

XFDFN-3

描述:

Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE,315, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PMZB290UNE,315 数据手册 (15 页)

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PMZB290UNE,315 数据手册 (15 页)

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PMZB290UNE,315 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

XFDFN-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.29 Ω

功耗

715 mW

阈值电压

750 mV

输入电容

55 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

83pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

360 mW

下降时间

31 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

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PMZB290UNE,315 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.05 mm

宽度

0.65 mm

高度

0.36 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PMZB290UNE,315 符合标准

PMZB290UNE,315 概述

PMZB290UNE,315 数据手册

Nexperia（安世）

15 页 / 0.93 MByte

PMZB290UNE,315 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

206 页 / 0.21 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV

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Nexperia（安世）

Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE,315, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装

PMZB290UN,315 数据手册

Nexperia（安世）

N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=1A P=950mV

PMZB290UNE 数据手册

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NXP PMZB290UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV

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PMZB290UNE 数据手册

Nexperia（安世）

N 通道 MOSFET，高达 30V，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

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