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PSMN009-100B 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

D2PAK

描述:

N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN009-100B 数据手册 (13 页)

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PSMN009-100B 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

D2PAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

75A

PSMN009-100B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

PSMN009-100B 符合标准

PSMN009-100B 数据手册

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NXP（恩智浦）

13 页 / 0.17 MByte

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