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PSMN009-100P 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN009-100P 数据手册 (14 页)

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PSMN009-100P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

75.0 A

封装

TO-220

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

N-Channel

功耗

230 W

阈值电压

3 V

输入电容

8.25 nF

栅电荷

156 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

输入电容值(Ciss)

8250pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

230 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

PSMN009-100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

PSMN009-100P 符合标准

PSMN009-100P 数据手册

PSMN009-100P 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

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