￥ 0.785

PSMN009-100P 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PSMN009-100P 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

PSMN009-100P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

230 W

上升时间

59 ns

下降时间

43 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

PSMN009-100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

10.3 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

查看数据手册 >

PSMN009-100P 符合标准

PSMN009-100P 数据手册

Nexperia（安世）

15 页 / 0.16 MByte

PSMN009-100P 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

15 页 / 0.29 MByte

PSMN009100 数据手册

PSMN009-100P,127 数据手册

NXP（恩智浦）

PSMN009-100P 数据手册

NXP（恩智浦）

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

PSMN009-100B,118 数据手册

NXP（恩智浦）

PSMN009-100P,127 数据手册

Nexperia（安世）

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=75A P=230W

PSMN009-100B,118 数据手册

Nexperia（安世）

N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=75A P=230W

PSMN009-100B 数据手册

NXP（恩智浦）

N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor

PSMN009-100W 数据手册

NXP（恩智浦）

N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

PSMN009-100W,127 数据手册

NXP（恩智浦）

PSMN009-100P 数据手册

Nexperia（安世）

PSMN009-100B 数据手册

Philips（飞利浦）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号