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Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP(恩智浦) > PSMN009-100P,127 Datasheet 文档
PSMN009-100P,127
4.5
PSMN009-100P,127 数据手册 (14 页)
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PSMN009-100P,127 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
7.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
230 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
75A
输入电容值(Ciss)
8250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
230 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
230W (Tc)

PSMN009-100P,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN009-100P,127 数据手册

NXP(恩智浦)
14 页 / 0.16 MByte

PSMN009100 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=75A P=230W
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=75A P=230W
NXP(恩智浦)
N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
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