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PSMN009-100W 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN009-100W 数据手册 (8 页)

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PSMN009-100W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

100 V

额定电流

100 A

封装

TO-247-3

极性

N-CH

输入电容

9.00 nF

栅电荷

214 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

输入电容值(Ciss)

9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

PSMN009-100W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN009-100W 符合标准

PSMN009-100W 数据手册

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