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PSMN015-100B
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PSMN015-100B 数据手册 (12 页)
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PSMN015-100B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
75A

PSMN015-100B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PSMN015-100B 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.19 MByte

PSMN015100 数据手册

Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=75A P=300W
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, TrenchMOS, N沟道, 69 A, 100 V, 0.0116 ohm, 10 V, 1.7 V
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
NXP(恩智浦)
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