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PSMN015-100P,127 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN015-100P,127 数据手册 (13 页)

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PSMN015-100P,127 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.012 Ω

功耗

300 W

阈值电压

3 V

输入电容

4900 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

PSMN015-100P,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN015-100P,127 符合标准

PSMN015-100P,127 数据手册

PSMN015-100P,127 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

13 页 / 0.31 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

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N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=75A P=300W

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